Dieser Kurs ist Teil der Spezialisierung Spezialisierung Semiconductor Devices

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63 Bewertungen

Wounjhang Park

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Spezialisierung Semiconductor DevicesUniversity of Colorado Boulder

Über diesen Kurs

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This course can also be taken for academic credit as ECEA 5632, part of CU Boulder’s Master of Science in Electrical Engineering degree.
This course presents in-depth discussion and analysis of metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) and bipolar junction transistors (BJTs) including the equilibrium characteristics, modes of operation, switching and current amplifying behaviors.

At the end of this course learners will be able to:
1. Understand and analyze metal-oxide-semiconductor (MOS) device
2. Understand and analyze MOS field effect transistor (MOSFET)
3. Understand and analyze bipolar junction transistor (BJT)

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Spezialisierung Semiconductor Devices

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Dozent

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4,57/5 (7 Bewertungen)

Wounjhang Park

Professor

Electrical, Computer, and Energy Engineering

35.952 Lernende

6 Kurse

von

University of Colorado Boulder

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Master of Science in Electrical Engineering

University of Colorado Boulder

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Lehrplan - Was Sie in diesem Kurs lernen werden

Woche

Woche 1

4 Stunden zum Abschließen

Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Device

In this module on MOS devices, we will cover the following topics:, MOS device structure, energy band diagram for MOS device at equilibrium, Flat band condition, Accumulation, Depletion, and Inversion of MOS under bias, Energy band diagram and charge distribution for MOS in inversion, Quantitative model and relevant parameters, Energy band diagram with channel bias, Inversion layer charge, and Effect on threshold voltage of MOS in non-equilibrium, C-V characteristics: Charge distribution under different biasing conditions, C-V characteristics: Frequency dependence, Effects of oxide charge on flat band and threshold voltages in non-ideal MOS, and Types of oxide charge in non-ideal MOS.

4 Stunden zum Abschließen

8 Videos (Gesamt 90 min), 4 Lektüren, 1 Quiz

Woche

Woche 2

3 Stunden zum Abschließen

MOS Field Effect Transistor (MOSFET)

In this module on MOSFETs (metal-oxide semiconductor field effect transistors), we cover the following topics: History of development of MOSFETs, Device structure, Device types, Circuit symbols, Long channel theory, I-V characteristics, Modes of operation, Channel length modulation, Body bias effect, Bulk charge effect, Sub-threshold conduction, Source/drain charge sharing in short channel devices, Drain induced barrier lowering, Subsurface punchthrough, Mobility degradation, Velocity saturation, Drain current saturation, Scaling of drain current with channel length, and Scaling of speed with channel length.

3 Stunden zum Abschließen

7 Videos (Gesamt 65 min), 3 Lektüren, 1 Quiz

Woche

Woche 3

5 Stunden zum Abschließen

Bipolar Junction Transistor (BJT)

In this module on BJTs (bipolar junction transistors), we will cover the following topics: BJT Device structures, Energy band diagrams, Active bias, Leakage current, Recombination in base, Hoe injection, Non-uniform doping in base, Current gain, Switching with BJT, Single heterojunction bipolar transistor, Double heterojunction bipolar transistor, Non-uniform material, Early effect, Emitter bias dependence, High-level injection, Base, emitter and collector transit times, and RC time constant.

5 Stunden zum Abschließen

6 Videos (Gesamt 79 min), 3 Lektüren, 2 Quiz

Über den Spezialisierung Semiconductor Devices

The courses in this specialization can also be taken for academic credit as ECEA 5630-5632, part of CU Boulder’s Master of Science in Electrical Engineering degree. Enroll here.

This Semiconductor Devices specialization is designed to be a deep dive into the fundamentals of the electronic devices that form the backbone of our current integrated circuits technology. You will gain valuable experience in semiconductor physics, pn junctions, metal-semiconductor contacts, bipolar junction transistors, metal-oxide-semiconductor (MOS) devices, and MOS field effect transistors. Specialization Learning Outcomes: *Learn fundamental mechanisms of electrical conduction in semiconductors *Understand operating principles of basic electronic devices including pn junction, metal-semiconductor contact, bipolar junction transistors and field effect transistors *Analyze and evaluate the performance of basic electronic devices *Prepare for further analysis of electronic and photonic devices based on semiconductors

Häufig gestellte Fragen

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Transistor - Field Effect Transistor and Bipolar Junction Transistor

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