This course can also be taken for academic credit as ECEA 5632, part of CU Boulder’s Master of Science in Electrical Engineering degree.
Dieser Kurs ist Teil der Spezialisierung Spezialisierung Semiconductor Devices
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Spezialisierung Semiconductor DevicesUniversity of Colorado BoulderÜber diesen Kurs
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University of Colorado Boulder
CU-Boulder is a dynamic community of scholars and learners on one of the most spectacular college campuses in the country. As one of 34 U.S. public institutions in the prestigious Association of American Universities (AAU), we have a proud tradition of academic excellence, with five Nobel laureates and more than 50 members of prestigious academic academies.
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Dieses Kurs ist Teil des reinen Onlineabschlusses Master of Science in Electrical Engineering von University of Colorado Boulder.
Wenn Sie in das komplette Programm aufgenommen werden, werden Ihre Kurse auf Ihren Abschluss angerechnet.
Lehrplan - Was Sie in diesem Kurs lernen werden
4 Stunden zum Abschließen
Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Device
In this module on MOS devices, we will cover the following topics:, MOS device structure, energy band diagram for MOS device at equilibrium, Flat band condition, Accumulation, Depletion, and Inversion of MOS under bias, Energy band diagram and charge distribution for MOS in inversion, Quantitative model and relevant parameters, Energy band diagram with channel bias, Inversion layer charge, and Effect on threshold voltage of MOS in non-equilibrium, C-V characteristics: Charge distribution under different biasing conditions, C-V characteristics: Frequency dependence, Effects of oxide charge on flat band and threshold voltages in non-ideal MOS, and Types of oxide charge in non-ideal MOS.
4 Stunden zum Abschließen
8 Videos (Gesamt 90 min), 3 Lektüren, 1 Quiz
8 Videos
MOS at Equilibrium10m
Basic Operation of MOS13m
Analysis of MOS Operation9m
Analysis of MOS Operation (Part 2)10m
MOS in Non-Equilibrium15m
Capacitance-Voltage Characteristics13m
Non-Ideal MOS14m
3 Lektüren
Module Topics2m
Materials and Physical Constants10m
Equation sheet10m
1 praktische Übung
Homework #12h
3 Stunden zum Abschließen
MOS Field Effect Transistor (MOSFET)
In this module on MOSFETs (metal-oxide semiconductor field effect transistors), we cover the following topics: History of development of MOSFETs, Device structure, Device types, Circuit symbols, Long channel theory, I-V characteristics, Modes of operation, Channel length modulation, Body bias effect, Bulk charge effect, Sub-threshold conduction, Source/drain charge sharing in short channel devices, Drain induced barrier lowering, Subsurface punchthrough, Mobility degradation, Velocity saturation, Drain current saturation, Scaling of drain current with channel length, and Scaling of speed with channel length.
3 Stunden zum Abschließen
7 Videos (Gesamt 65 min), 3 Lektüren, 1 Quiz
7 Videos
Basic Operation of MOSFET12m
Advanced Operation of MOSFET 19m
Advanced Operation of MOSFET 28m
Short Channel Effects 18m
Short Channel Effects 212m
Short Channel MOSFET5m
3 Lektüren
Module Topics2m
Materials and Physical Constants10m
Equation sheet10m
1 praktische Übung
Homework #22h
5 Stunden zum Abschließen
Bipolar Junction Transistor (BJT)
In this module on BJTs (bipolar junction transistors), we will cover the following topics: BJT Device structures, Energy band diagrams, Active bias, Leakage current, Recombination in base, Hoe injection, Non-uniform doping in base, Current gain, Switching with BJT, Single heterojunction bipolar transistor, Double heterojunction bipolar transistor, Non-uniform material, Early effect, Emitter bias dependence, High-level injection, Base, emitter and collector transit times, and RC time constant.
5 Stunden zum Abschließen
6 Videos (Gesamt 79 min), 3 Lektüren, 2 Quiz
6 Videos
Base-Emitter Current12m
Basic Operation of BJT9m
Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)16m
Non-Ideal Behavior13m
Frequency Response10m
3 Lektüren
Module Topics2m
Materials and Physical Constants10m
Equation sheet10m
1 praktische Übung
Homework #32h
Über den Spezialisierung Semiconductor Devices
The courses in this specialization can also be taken for academic credit as ECEA 5630-5632, part of CU Boulder’s Master of Science in Electrical Engineering degree. Enroll here.
Häufig gestellte Fragen
Wann erhalte ich Zugang zu den Vorträgen und Aufgaben?
Der Zugang zu Vorlesungen und Aufgaben hängt von der Art Ihrer Anmeldung ab. Wenn Sie einen Kurs im Gastmodus belegen, können Sie die meisten Kursmaterialien kostenlos einsehen. Um auf benotete Aufgaben zuzugreifen und ein Zertifikat zu erhalten, müssen Sie während oder nach Ihrer Gastphase das Zertifikat erwerben. Wenn Sie die Gastoption nicht sehen:
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Wenn Sie sich für den Kurs anmelden, erhalten Sie Zugriff auf alle Kurse der Spezialisierung und Sie erhalten nach Abschluss aller Arbeiten ein Zertifikat. Ihr elektronisches Zertifikat wird zu Ihrer Seite „Errungenschaften“ hinzugefügt – von dort können Sie Ihr Zertifikat ausdrucken oder es zu Ihrem LinkedIn Profil hinzufügen. Wenn Sie nur lesen und den Inhalt des Kurses anzeigen möchten, können Sie kostenlos als Gast an dem Kurs teilnehmen.
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